Tính năng vượt trội của bộ nhớ thế hệ mới này là tốc độ lên tới 6.400 Mb/s, nhanh hơn 1,5 lần so với với thế hệ chíp LPDDR4X DRAM đang được sử dụng trong các thiết bị điện thoại thông minh.
Công ty điện tử Samsung thông báo hãng đã phát triển thành công giải pháp mới Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) hay còn gọi là chíp bộ nhớ tích hợp cho các tính năng trí tuệ nhân tạo (AI) và mạng di động 5G hỗ trợ các sản phẩm điện thoại thông minh.
Trong thông báo ngày 17.7, nhà sản xuất chíp hàng đầu thế giới tiết lộ hãng đã hoàn tất việc phát triển DRAM LPDDR5 8Gb 10nm tân tiến hồi tháng 4.2018.
Tính năng vượt trội của bộ nhớ thế hệ mới này là có tốc độ lên tới 6.400 Mb/s, nhanh hơn 1,5 lần so với với thế hệ chíp LPDDR4X DRAM đang được sử dụng trong các thiết bị điện thoại thông minh đầu bảng hiện nay.
Theo Samsung, tốc độ này cho phép truyền tải cùng lúc 14 tệp phim full-HD, tương ứng 51,2 GB, trong một giây. Samsung hy vọng giải pháp mới này sẽ mang đến nhiều cơ hội rộng mở hơn cho ngành công nghiệp điện thoại di động và tự động.
Ngoài ra, so với các sản phẩm thế hệ cũ, DRAM LPDDR5 8Gb có mức tiêu thụ điện năng thấp hơn 30%. Điều này giúp thời lượng pin các sản phẩm điện thoại thông minh sử dụng nó được dài hơn.
Thêm vào đó, dựa vào chíp bộ nhớ thế hệ mới này, các sản phẩm điện thoại thông minh sử dụng nó được tích hợp một loạt các tính năng ổn định như ultra-HD, AI và học máy.
Samsung cho biết hãng sẽ sớm sản xuất hàng loạt chíp bộ nhớ thế hệ mới này theo nhu cầu của khách hàng.
Hiện chưa rõ dòng điện thoại Galaxy Note 9 mà Samsung dự kiến ra mắt vào tháng 8 tới có sử dụng giải pháp mới này hay không.
Theo TTXVN